PASを用いた高周波プラズマCVD SiC:H薄膜の研究
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概要
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We have optically characterized a-SiC : H films prepared by plasma-CVD techniques under various deposition conditions. Infrared spectra were measured at room temperature, from which the banded H content (C_H) could be deduced. The optical band gap (E_o) and the slop of Urbach tail (E_e) by means of photoacoustic spectroscopy (PAS) at room temperature were obtained. The correlation between E_e and C_H was discussed from these data. As the result, we have found that the increase of the amount of H_2 gas affects the Urbach tail and serves the suppression of the disorder in the lattice.
- 岡山理科大学の論文
- 1989-03-20
著者
-
赤尾 文雄
岡山理科大
-
中川 紀美雄
岡山理科大学電子工学科
-
栗田 満史
岡山理科大学大学院理学研究科
-
中川 紀美雄
岡山理科大学工学部電子工学科
-
赤尾 文雄
岡山理大工
-
赤尾 文雄
岡山理科大学電子理学科
-
竹中 進
岡山理科大学大学院理学研究科
-
栗田 満史
岡山理科大学工学部電子工学科
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