Er:YGG導波路型1.5μm帯光増幅素子の基礎特性
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概要
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光増幅器は、それらの光通信ネットワーク、あるいは光導波路中における光減衰補償として極めて重要な役割を担うキーデバイスである。我々は光増幅器の小型化を図るとともに、誘電体系光集積回路内の導波路中における光増幅を目的とした、薄膜導波路型光増幅素子の研究を行ってきた。図1は、ガーネット基板上に光増幅器と光アイソレータとをモノリシックに集積化する一例を示したものである。安定なアライメントを保持できるこのような集積構造は、通信の分野のみならず光情報処理、光制御分野への応用の可能性を拡大し、大規模な光集積回路実現への足掛かりとなる。これまでに我々は、Nd添加ガーネット薄膜を用いた光増幅素子において1.06μm帯の光増幅に成功しており、ZnOストリップを装荷した三次元導波路において最大利得6.5dBを得ている。我々は、新たに通信波長帯における導波路型光増幅素子の実現を目的として1.55μm帯に蛍光を有するEr^3+を活性イオンに選択しその研究を進めている。本論文では、その分光特性、および素子の三次元化に向けたZnO装荷Er:YGG/YAG三次元導波路の等価屈折率法によるモデル解析について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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