IC化に適した広可変幅CMOS-VCXOの改善
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概要
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先に我々は,MOSFETのミラー容量を用いるここによって大きな容量変化を得ることができ,IC化に適した広可変幅VCXOについて報告した。その際,CMOSを用いたVCXO(以下,CMOS-VCXO)において,容量可変回路のMOSFETのゲートに過大な交流電圧がカロわることから,ミラー容量が減少し大きな周波数可変幅が得られなかった。また,広い周波数可変幅を得るには低容量から変化できる必要があるが,MOSFETのゲート・ソース間容量Cgsによって制限される問題があった。そこで,容量可変回路のMOSFETのゲートにCgsに比べ小さな容量を直列に接続し,入力電圧を分圧することで,ゲートに印加される交流電圧と最小入力容量を小さくできる容量可変回路に対し検討を行った。これらの結果をもとに,本容量可変回路とCMOSインバータを用いてCMOS-VCXOを構成し,その特性に対し検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
関根 好文
日本大学理工学部
-
李 裕次
日本大学大学院理工学研究科
-
李 裕次
日本大学理工学部
-
佐々木 圭則
日本大学大学院理工学研究科
-
佐々木 圭則
日本大学理工学部
-
鴬塚 日出夫
キンセキ株式会社
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