EモードpHEMTによる3V動作TDMA800/1900用パワーアンプMMIC

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-03-07

著者

• 三谷 英三

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 中村 智弘

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 末広 晴彦

  (株)富士通研究所

• 森内 俊明

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 川合 貴久

  富士通カンタムデバイス株式会社

• 中島 郁夫

  富士通カンタムデバイス(株)

• 小野 恭司

  富士通カンタムデバイス(株)

• 末廣 晴彦

  富士通カンタムデバイス(株)

• Hajji Reched

  富士通カンタムデバイス(株)

• Moriuchi Toshiaki

  富士通カンタムデバイス(株)

• Kennan Wayne

  富士通カンタムデバイス(株)

• Hajji Reched

  Fujitsu Compound Semiconductor Inc.

• 末廣 晴彦

  富士通カンタムデバイス株式会社

関連論文

• 準ミリ波帯高効率MMICの開発
• 準ミリ波帯高効率MMICの開発
• 48ps HEMT DCFL NAND 回路
• C-10-4 E-mode PHEMTを使用した北米携帯電話機向けパワーアンプMMIC
• EモードpHEMTによる3V動作TDMA800/1900用パワーアンプMMIC
• 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術
• 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術
• 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術
• 準ミリ波帯高効率MMICの開発
• 携帯電話用単一電源パワ-アンプMMIC (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)

スポンサーリンク