携帯電話用単一電源パワーアンプ技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
携帯機器における小型化・軽量化・低コスト化の要求に答えるべく、新規に完全エンハンスメントモードMMICプロセスを開発した。ディスクリートFETの特性は電源電圧4.8V、900MHzで飽和出力27dBm, 効率71%であり、Vgs=0V時の漏れ電流は0.2μAであった。この技術を用いてAMPS, TDMA, CDMA, GSM用パワーアンプMMICを開発した。単一電源の携帯機器における長所とデバイスの基本特性について報告する。
- 1998-06-18
著者
-
Wayne Kennan
Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated
-
森内 俊明
富士通カンタムデバイス株式会社
-
川合 貴久
富士通カンタムデバイス株式会社
-
Warren Abey
Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated
-
Abey Warren
Fujitsu Compound Semiconductor Inc.
-
鈴木 雅久
富士通カンタムデバイス株式会社
-
Abey Warren
Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated
-
Warren Abey
Fujitsu Compound Semiconductor Inc.
-
森内 俊明
Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated
関連論文
- C-10-4 E-mode PHEMTを使用した北米携帯電話機向けパワーアンプMMIC
- EモードpHEMTによる3V動作TDMA800/1900用パワーアンプMMIC
- 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術
- 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術
- 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術
- 携帯電話用単一電源パワ-アンプMMIC (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)