準ミリ波帯高効率MMICの開発
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概要
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準ミリ波帯用途向けに高効率、高出力パワーMMICを開発した。トランジスタ部にはAlGaAs/InGaAs/AlGaAsダブルへテロ構造バワーpHEMTを採用した。このパワーpHEMTは18GHzで電力付加効率68%、出力電力23.5dBmと良好な特性を示した。このパワーpHEMTを用い、K帯パワーMMICを試作した。試作したMMICは周波数帯域18GHzから20GHzの広帯域において、1dB利得圧縮時で電力付加効率40%以上を示し、そのときの出力電力(P1dB)は31.0dBm以上、電力利得(G1dB)は15.0dB以上と非常に良好な特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-18
著者
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三谷 英三
富士通カンタムデバイス株式会社
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黒田 滋
ユーディナデバイス株式会社
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佐藤 富雄
富士通カンタムデバイス株式会社
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黒田 滋
富士通カンタムデバイス株式会社
-
二階堂 淳一朗
富士通カンタムデバイス株式会社
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Betti-Berutto A.
Fujitsu Compound Semiconductor Inc.
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