コンポジットチャネル構造InP-HEMTの信頼性評価と高利得化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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概要

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InP系HEMTは、高周波特性に優れる一方、チャネル内のインパクトイオン化起因による信頼性の問題が多く報告されている。我々は、チャネル構造の最適化を行い、インパクトイオン化によるリーク電流を減らした。この構造で6000時間を越える信頼性評価を行い、80℃におけるMTTFは、2×10^7時間に達し、極めて良好な信頼性を実現した。さらに、パッケージのアイソレーションを改善し、12GHzでの雑音指数0.28dB、付随利得16.5dB を実現した。これらの結果からコンポジットチャネル構造InP-HEMTは、ミリ波帯以上でのローノイズ素子として有望であると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-01-13

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