半導体露光装置の位置あわせにおける異常値検出 : 混合分布モデルの工学的利用(<特集>統計的学習理論及び一般)
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概要
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メモリ,CPU等の半導体デバイスは,リソグラフィー技術を用いて製造される.マスク上の回路パターンをSi基板上に転写する半導体露光装置(ステッパ,スキャナ)は,この技術の中核を担う装置のひとつである.露光は幾層にも渡って繰り返し行われる必要があるため,装置は前工程で形成された配列を高い精度で推定しなければならない.本報告では,混合正規分布を用いて異常値の影響を低減するアルゴリズムを紹介する.モデル選択にはペナルティー付最尤推定法を用い,ペナルティーの強さに対応する係数を,不良品発生率を最小化するという観点でシミュレーションにより最適化した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-21
著者
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