化合物半導体デバイスシミュレーションの現状と課題(2.半導体デバイスに関するシミュレーション技術)(<特集>電子情報通信を支えるシミュレーション技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
化合物半導体デバイスは情報通信のキーデバイスであり、現在は生産が追いつかないほどの好況である.しかし, 今後に予想されるデバイス技術者の減少に対しては, 開発や生産のあらゆる局面でCAD化を進めることが必要である.高性能であるが結晶欠陥や表面準位の制御で安定性や再現性に問題が多かった化合物デバイスも, その機能の解明が進みまた製造面での安定性も増してデバイスシミュレーションで解析や設計のできる状況にまできた.これからは高精度なモデルが要求されている高周波回路設計にデバイスシミュレーションを取り込むことが課題となろう.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-25
著者
関連論文
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- ワイドバンドギャップ半導体による高周波デバイス
- 化合物半導体デバイスシミュレーションの現状と課題(2.半導体デバイスに関するシミュレーション技術)(電子情報通信を支えるシミュレーション技術)
- 共振器結合による無線インタコネクション技術 (小特集 インタコネクション技術)