ワイドバンドギャップ半導体による高周波デバイス
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概要
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ワイドバンドギャップ半導体による高周波デバイスについて, 近年開発が盛んになっているGaN系デバイスを中心にその特徴を解説した.ワイドバンドギャップ半導体が高出力デバイスに適していること, シリコンデバイスではマクスウェル・ボルツマン分布則により微細化限界が近づいているのに対し, ワイドバンドギャップ半導体では更なる微細化が可能でより高速高周波が可能であること, トランジスタの載ったサファイア基板にアンテナなどの受動部品もすべて集積化することで低価格のマイクロ波機器が作れる可能性があることなど, ワイドバンドギャップ半導体デバイスとそれを用いた集積回路の特徴を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-01
著者
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