次世代露光機EBステッパの開発

概要

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2005年に量産が予定されている100nm世代(100nm-node) LSI以降に対応できる,次世代半導体露光装置「EBステッパ」について、米国IBM社との共同開発により、基幹となる電子光学系の要素開発を終えたので報告する。EBステッパは従来のEB露光機と異なり、レチクル上1mm角の大面積を一様に照明し、かつ20mmを超える大きな電子ビーム偏向を行う。また、最新の光露光機と同様にステージスキャン動作を行うことにより、高いスループット(>20WPH@300mmウエハ)が期待できる。電子光学系開発の視点からは、大フィールドを均一に照明できる電子銃と照明光学系、CVALと称する大偏向時にも軸上と同等の収差を与える投影光学系、回転、倍率、焦点、歪み等の高精度な補正光学系が要となる。結果的に、IBMで開発されたPREVAIL転写露光実証機において、ポジ型レジストで良好な80nm Lines & Spacesの一括形成が確認された。今回、PREVAIL技術とその実験結果、及びNikon独自に開発した100kV系転写露光機を用いた、高感度EBレジストとステンシル型EBレチクルについて、その開発現状を報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-12-13