広範囲なバイアス条件での精度向上を図ったGaAs HEMTの大信号等価回路モデル
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概要
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ミクサや逓倍器,発振器等の非線形回路の設計では基本波だけでなく高調波のレベルの設計も重要である.パラメータの抽出時と異なるバイアス条件では,出力される高調波のレベルの計算結果と測定結果が一致しなくなるという問題がある.本報告ではHEMTに適用可能な比較的簡単な,広範囲なバイアス条件での計算精度向上を図った大信号等価回路モデルを提案し,従来のモデルとのDC特性,入出力特性の比較を行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-27
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