均一ばく露が可能な「スリット導波管型in vitroマイクロ波ばく露装置」の実験的評価
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概要
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in vitroマイクロ波ばく露装置として, 方形導波管に設けたスリットからの漏洩電磁界を用いたばく露装置を製作した.このばく露装置に設けたスリットは, スリットの両端から少し中心よりの場所でカップリングが強くなるようにスリット幅を狭くしている.このようなスリットを2本用いて, スリット間に比較的均一な電磁界分布を作り, 細胞をばく露するのがこの装置の特徴である.本報告は, 製作したばく露装置のばく露評価するために, ばく露装置が作る電磁界分布の測定を行った.培地内のSAR分布を電界測定と温度測定から求め, 数値解析により求めた培地内のSAR分布と比較検討した.その結果, 入射電力1[Wあたり約25[W/kg]のSARが細胞の位置で得られることがわかった.
- 2002-01-15
著者
-
鈴木 敬久
首都大学東京電気電子工学専攻
-
鈴木 敬久
東京都立大学大学院工学研究科
-
和気 加奈子
東京都立大
-
丸山 祥史
東京都立大学工学研究科
-
多氣 昌生
東京都立大学 工学研究科 電気工学専攻
-
和氣 加奈子
総務省通信総合研究所
-
渡辺 聡一
総務省通信総合研究所
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