低損失MOSFETゲート駆動回路
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概要
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近年、コンバータの小型化、高効率化、低出力電圧化などを目的としたMHz級の高周波スイッチングや同期整流の適用が進められている。しかし、MOSFETの高周波駆動や低オン抵抗化は、入力容量の充放電による駆動損失を増加させるため、ゲート駆動回路が大型化するといった問題が生じる。本稿は、MOSFETのターンオフ時に、入力容量に蓄積された電荷をリアクトル、ダイオードおよび補助スイッチを用いて電源に回生することにより駆動損失を低減する低損失MOSFETゲート駆動回路について、回路構成および実験結果を報告したものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-22
著者
-
片山 靖
(株)富士電機総合研究所
-
片山 靖
富士電機アドバンストテクノロジー
-
黒木 一男
富士電機株式会社
-
鷁頭 政和
(株)富士電機総合研究所
-
黒木 一男
(株)富士電機総合研究所
-
定由 征次
富士電機(株)
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