Si基板表面吸着物の熱脱離挙動

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概要

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• ゲート酸化膜の絶縁耐圧に影饗を及ぼす有機物汚染の評価を行った。ゲート酸化-polySi成膿を窒素券囲気下で連続処理した場合、酸化膜の欠陥密度が低減することを確認した。非連続処理の場合に搬送・保管中のウェハ表面に吸着する成分を、大気圧質量分析計を用いた昇温脱離法で解析した。その結果、プラスチック製ウェハカセットケースからの脱ガスである有機物がpolySi成膜時に脱離せず、酸化膜とpolySi界面に残留し、これが欠陥密度増加を引き起こすと考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-04-25

著者

• 伊藤 雅樹

  日立製作所中央研究所

• 石川 勝彦

  日立製作所 半導体事業部

• 伊藤 雅樹

  日立製作所 半導体事業部

• 神保 智子

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 津金 賢

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 田辺 義和

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 斎藤 由雄

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 富岡 秀起

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 富岡 秀起

  株式会社日立製作所デバイス開発センター

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