狭ピッチ・ワイヤー・ボンディングにおけるMCM薄膜導体構造の最適化

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概要

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近年,高速および高密度が要求される応用分野において,薄膜技術で形成する銅, ポリイミド基板が注目されている。一方,銅/ポリイミド基板上に搭載するVLSIは,多ピン化,狭パッド・ピッチ化する傾向がある。VLSIと基板との接続方式は,技術確立度の高いワイヤー・ボンディングがよく採用される。しかしながら,銅/ポリイミド基板上へのワイヤー・ボンディングは,ボンディング性が悪いという問題がある。絶縁材料であるポリイミドが超音波エネルギを吸収するためである。本報では,実験計画法にもとづき,表面金属層の膜構造を最適化した。さらに,膜構造を最適化した基板上に100μmピッチ以下のVLSIを搭載したMCMを試作した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-10-18

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