電着法によるCIS系薄膜の堆積
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概要
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比較的簡単な装置により安価に大面積の半導体薄膜を堆積できる可能性を持つ同時電着法により、高効率薄膜太陽電池用材料として注目されているCuInSe_2 (CIS) 系薄膜の堆積を試みた。電着電位および電着溶液のpH値を調整することにより、室温での堆積でほぼ化学量論組成に近いCuInSe_2化合物薄膜が得られた。これを熱処理することにより結晶粒径の増大が認められたが, 異相の発生が観察される場合もあり基板 (金属Mo板、またはMo/glass) の種類等の影響が大きいものと考えられる。禁制帯幅をより光吸収体に適した値に調整する目的で試みた4元CuIn (Se, S)_2の電着については、電着溶液中の沈殿除去を行うことにより堆積膜中の硫黄を制御できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-31
著者
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