スイッチドカレント(SI)メモリセルのクロックフィードスルー補償方法
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概要
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スイッチドカレント(SI)メモリセルの新しいクロックフィードスルー(CFT)補償方法を提案した。この方法はSIメモリセルにCFT電流発生回路を付加し、この電流でメモリセルから発生するCFT電流を相殺することに基づいている。シミュレーションによれば、この方法でS^2IメモリセルのCFT電流を約60dB減殺でき、-180μA〜+180μAの信号電流に対するCFT誤差は1.5×10^<-3>%である。従って、本CFT補償方法は、SIモードの高精度A/D,D/A変換器やフィルターの構成に極めて有用である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-22
著者
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