1/4λバイアス回路装荷6〜18GHz帯SPDT MIC PINスイッチ

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概要

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スイッチの高耐電力化を図るためにはPINダイオードを用いたスイッチがしばしば用いられるが、広帯域化との両立が困難であり、またバイアス回路により回路が大型化するという問題があった。今回まず並列PINダイオードON時に遮断ポートに形成される共振回路のf特を、通過ポート側のバイアス回路を兼ねた1/4λスタブで整合をとり広帯域化を図る回路構成を提案する。次に本回路構成を用いてディスクリートPINダイオードをアルミナ基板上に実装した広帯域・高耐電力・小型MICスイッチの試作結果を示す。サイズ2.1×5.8mm, 周波数6〜18GHzで損失0.9〜2.3dB, アイソレーション20dB, 耐電力41dBの特性が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-10-19

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