シミュレーションを用いた多層基板における貫通電流デカップリング解析の手法
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概要
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CMOS等のLSIの電源グランド間に流れる貫通電流はシステムからのEMI放射の主原因のひとつである。本研究では, このロジックICのスイッチング時の貫通電流に着目し電源層がセグメントに分割された構造を持つ場合における放射電界の特性および効果的なデカップリングコンデンサの配置方法について, 電磁解析シミュレータを用いた解析をおこなった。解析にあたっては貫通電流のモデリング法として, これまで用いられて来た回路のDC電圧源位置に高周波電圧源を置く方法に変えて, IC内部のセル位置に電圧源及び直列抵抗を置く方法を提案する。さらに, 同等の回路の実験モデルを作成し電波暗室での測定結果をもとにシミュレーション結果の妥当性を検証した。
- 1999-07-29
著者
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櫻井 秋久
日本アイ・ビー・エム株式会社emc技術開発
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櫻井 秋久
日本アイ・ビー・エム 技術推進 Emc技術開発
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藤尾 昇平
日本アイ・ビー・エム
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櫻井 秋久
日本アイ・ビー・エム
-
椛山 英樹
日本アイ・ビー・エム, 技術推進, EMC技術開発
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椛山 英樹
日本アイ・ビー・エム 技術推進 Emc技術開発
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