FETを用いた小形・広帯域リニアライザの開発
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概要
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ソース接地したFETの振幅および位相特性が、ドレインにバイアスを印加しない条件下では、ドレイン・ソース間抵抗値(Rds)に大きく依存することに着目し、新しいリニアライザを開発した。このリニアライザは、ソース接地されたFETと簡単なチョーク回路のみで構成でき、2〜12GHzの広帯域にわたり動作する。7GHz帯50W出力SSPAに本リニアライザを適用した結果、3dB出力バックオフ点において約2dBの、NPR改善量が得られた。この結果、このリニアライザが、高出力増幅器の歪補償に有効であることが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-21
著者
-
清野 清春
三菱電機株式会社
-
小倉 恵
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
広瀬 晴三
三菱電機特機システム
-
小野 智彦
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
-
広瀬 晴三
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
-
小野 智彦
三菱電機 鎌倉製作所
-
小倉 恵
三菱電機株式会社
-
小倉 恵
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
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