赤色光対応高密度Si反射膜相変化光ディスク

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概要

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赤色レーザを用いた高線速高密度マークエッジ記録及びランド/グループ記録に適したSi反射膜光ディスクを開発した。Si反射膜上に誘電体干渉層を設けることにより、吸収率を制御しつつ、C/Nを向上させられることを見いだした。誘電体干渉層は、結晶・非品質間の光学位相を変化させる機能も有しており、ランド・グループ記録に適した光学特性を実現するのに有効である。今回開発したSi反射膜ディスクにより、クロス消去の影響を受けることなく、最短ビット長0.33μm、トラックピッチ0.6μmが実現可能であることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-02-29

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