高周波バイアス下における各種材料の磁気インピーダンスに関する検討
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概要
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ラージスケールの実験により, 各種材料の磁気インピーダンス特性について検討した. その結果, MnZnフェライトの磁気インピーダンス変化率が, GMRの抵抗変化率を大幅に上回る58%にも達すること等を確認した. また、CoZrTaとSiO2の積層膜を用いた薄膜素子を試作し、インピーダンス変化率13〜14%を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-08
著者
-
小林 正明
松下電器産業株式会社 Avc商品開発研究所
-
黒江 章郎
松下電器産業(株)映像音響情報研究所
-
小林 正明
松下電器産業
-
村松 小百合
松下電器産業(株) AVC商品開発センタ
-
村田 明夫
松下電器産業(株) AVC商品開発センタ
-
村松 小百合
松下電器産業(株)
-
小林 正明
松下電器産業(株) Avc商品開発センタ
-
黒江 章郎
松下電器産業(株) Avc商品開発センタ
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