歪量子井戸構造における微分利得と線幅増大係数の測定
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概要
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量子井戸構造の1.5μm帯半導体レーザ活性層へ歪を導入することによって、微分利得と線幅増大係数がどの程度改善されるかについて、実験的検討を行った。測定対象となる半導体レーザの両端面には無反射コーティングを施し、レーザを進行波型光増幅器として動作させた。そのバイアス電流を微少に変調し、このとき外部から入射した光に加わる振幅変調度と位相変調度から、微分利得と線幅増大係数を求めた。この方法によると、任意のキャリア密度と波長におけるパラメータの決定が可能となる。この結果、以下に示す歪の効果が明らかにされた。歪が圧縮性の場合には、パラメータに大きなキャリア密度依存性が生じ、小さなキャリア密度においてのみ、これらのパラメータが改善される。これに対して、歪が伸張性の場合、圧縮性ほど大きなキャリア密度依存性はなく、また、TM偏波に対する双極子モーメントの増大によって、特に微分利得に大きな改善が見られる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-21
著者
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