水素化アモルファスシリコン薄膜の光劣化に関連する光誘起体積変化
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概要
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水素化アモルファスシリコン(以下, a-Si:H)薄膜における光劣化現象について, そのメカニズム解明と抑止のために, 光誘起体積変化現象の観点から研究を進めた結果を報告する。a-Si:日薄膜には光を照射すると体積が膨張または収縮する2種類の構造が存在すること, またそれらは主として膜中の水素量とSi格子の初期構造に起因する可能性があることがわかった。更に, 光劣化は光誘起体積膨張と深い関係があることを示し, 光劣化抑止のための方策を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-01
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