しきい値電圧を出力信号で制御する高速・低消費電力SOI-CMOS回路(低電力LSI論文小特集)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SOI MOSFETの基板電圧をCMOSインバータ回路の出力電圧によって制御する高速・低消費電力CMOS回路を提案した.この回路は電源電圧1V以下で動作し, 入力信号の立上り, 立下り時間10psから500psにわたりほぼ一定の遅延時間で動作し, 従来回路に比べて遅延時間は最大60%短縮された.この回路の高速化の機構を明らかにすることで, MOSFETのデバイスパラメータと回路特性との関係を示した.また, この回路の待機時の消費電力はMOSFETの基板への供給電圧を調整することで1nWまで低減できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-25
著者
関連論文
- しきい値電圧を出力信号で制御する高速・低消費電力SOI-CMOS回路(低電力LSI論文小特集)
- PD-SOI COMSデバイスのスケーリング
- 部分空乏型SOI MOSFETのターンオフ電流の3次元シミュレーション