マイクロストリップライン構造液晶デバイスの過渡応答時間特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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ネマティック液晶材料をマイクロ波帯でのアダプティブ回路に適用する場合,材料選択の指針の1つとして重要なのが液晶の配向制御用電圧印加に対する応答時間特性である.本論文ではマイクロストリップライン構造の液晶デバイスにおいて,中心導体真下以外の領域における液晶分子のバイアス電圧に対する不完全配向とそれに基づく応答時間の増加を,ITOガラスで製作したマイクロストリップライン構造の液晶装荷光学セルの偏光顕微鏡による動画撮影比より測定している.動画の各フレームを比較し,定常状態となる飽和値を測定することにり液晶分子の立ち上がりおよび立ち下がり時間を決定する方法を提案している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-12
著者
-
斎藤 勝彦
神戸商船大学
-
齊藤 勝彦
防衛大学校通信工学科
-
亀井 利久
防衛大学校通信工学科
-
内海 要三
防衛大学校通信工学科
-
斎藤 勝彦
防衛大学校通信工学科
-
内藤 亮
防衛大学校通信工学科
-
亀井 利久
防衛大学校
-
斉藤 勝彦
足利工大
-
内藤 亮
防衛大学校理工学研究科
-
斎藤 勝彦
神戸大学大学院
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