減磁効果による内部磁界の不均一分布を考慮したYIG薄膜を有するマイクロストリップ線路形デバイスのFDTD解析
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概要
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本稿では減磁効果による内部磁界の不均一分布を考慮して,YIG薄膜を有するマイクロストリップ線路をFDTD法を用いて数値的に解析している.均一磁界が垂直に印加されたYIG薄膜の内部磁界を有限差分法を用いて計算し,これを初期値としてFDTD解析を行っている.得られた伝送特性および減衰がみられる周波数での高周波磁化の分布を比較することで,不均一磁界を考慮した場合に減衰が現われる周波数が高域側へ移動することを示している.実験結果と比較を行い,不均一磁界を考慮することで解析結果が実験結果とよく一致することを示している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-12
著者
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