金属パッケージ内電磁界の過渡解析におけるFDTDシミュレーションの妥当性の検討
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概要
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金属パッケージ内の電磁干渉問題のモデルとして、導体壁に囲まれた2本のマイクロストリップ線路の片方をパルスで励振するシミュレーションをFDTD法で行ない、計算結果の妥当性を検討した。具体的には、Sパラメータの実測値との比較、シミュレーション条件の違いによる比較、電力保存の観点などにより評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-28
著者
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