半導体製造プロセスにおけるウェハ上良品取得可能領域解析方式
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概要
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半導体メモリ製品の集積度競争は激しく, 新微細プロセスを迅速に立ち上げ, 安定に稼働させることが大切になっている.半導体製造プロセスにおいては, 最終検査データ(FCM:Failure Category Map)は設計から製造までのすべての行為の集積した結果を表しており, 不良原因を限定する上で極めて有効である.本論文では, FCMデータを解析して不良解析を行う方法として, AUF(Area Usage Factor)解析方式を提案する.
- 社団法人日本品質管理学会の論文
- 1998-01-15
著者
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