エネルギー分散X線分析法による半導体リンガラス薄膜中のリンの定量における微小点濃縮前処理法
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概要
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溶液化した試料を前処理により100μmφ以下の微小点に蒸発濃縮し,エネルギー分散X線分析法で絶対量の定量を行う新しい分析法について基礎的な検討を行った.濃縮用基板を種々検討した結果,半導体用シリコンウエハが適していることが分かった.表面に深さ約5μm,径10〜100μmの穴をエッチングしたシリコンウエハ上でマニピュレーターとテフロンプローブで液滴を操作することにより,約10μmφまで濃縮が可能となった.検出限界はPの場合0.02ngであった.フッ化水素酸で溶解した半導体用リンガラス膜中のPを定量した結果,吸光光度法,ICP-AESによる定量値と良く一致した.実試料定量の繰り返し精度は18%であった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1987-04-05
著者
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