III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの光キャリヤ誘起強磁性
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概要
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We report the inducement of a ferromagnetic order by photo-generated carriers in a novel III-V-based magnetic semiconductor heterostructure p-(In, Mn)As/GaSb grown by molecular beam epitaxy. The results are explained in terms of hole transfer from GaSb to (In,Mn)As in the heterostructure, which in turn enhances a ferromagnetic spin-exchange among Mn ions in the (In, Mn)As layer.
- 1997-09-01
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