Fe/MgO/MgF_2/Co接合のトンネル磁気抵抗効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
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概要
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Ferromagnetic tunnel junctions (MTJs) in which a thin MgO seed layer was inserted between Fe bottom electrode and MgF_2 insulating barrier were fabricated through the use of molecular beam epitaxy. The structure and tunnel magnetoresistance (TMR) were investigated for Fe (200Å)/MgO (5Å)/MgF_2 (20Å)/Co (200Å) junctions. RHEED observation suggested that an MgF_2 layer deposited at room temperature was in amorphous or nanocrystalline state. The TMR ratio observed for a typical MTJ with barrier height of 1.6 eV was 1.8 % at 4.2 K and decreased with increasing temperature, down to 0.7 % at 293 K. It was found that the bias dependence of TMR shows a strong asymmetric feature, in contrast to conventional MTJs with amorphous alumina barriers.
- 2002-04-01
著者
-
高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
-
三谷 誠司
東北大学金属材料研究所
-
森山 貴広
東北大学金属材料研究所
-
Takanashi K
Institute For Materials Research Tohoku University
-
森山 貴広
東北大金研
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