24aB1 水平磁場印加下におけるSi融液中の酸素移動現象(バルク成長VII)
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概要
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Transport mechanism of oxygen in silicon melt under transverse magnetic fields was clarified using three-dimensional and time-dependent calculation. The calculation clarified the following results. 1) Oxygen in grown crystals is dissociated from side wall of a crucible. 2) Oxygen which was dissolved from side wall of a crucible is transferred parallel to magnetic fields. 3) Oxygen is incorporated from a region which settled parallel to magnetic fields to solid-liquid interface.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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