分子動力学法によるシリコン中の酸素の運動
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概要
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Molecular dynamics simulation of oxygen in silicon was carried out to study local deformation near oxygen atom. The analysis estimated that these values of equilibrium segregation coefficient of oxygen in silicon and diffusion constant of oxygen in silicon melt are from 0.38 to 0.8 and l0_<-4>cm^2/sec, respectively.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
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