錫真正ホイスカ成長における鉛の抑制作用とホイスカ成長機構
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
It is said that lead in electroplated tin film suppresses whisker growth. But mechanism of this suppression has not been clarified. In this paper, role of lead on the whisker growth suppression has been examined by means of X-ray micro analysis, Auger electron spectroscopy and scanning electron microscopy of electroplated Sn/Pb films and Pb/Sn films on brass (Cu60%, Zn40%) substrates. As a result, the followings have been known: (1) Lead suppresses the formation of zinc oxide in spite of small oxide formation energy of zinc oxidation. (2) Extrusion grows on the electroplated tin film surface in preference to whisker. It is also assumed that lead plays a role of zinc oxidation suppression on the whisker. Because of no oxide film, growth of whisker embryo is accompanied with radial direction growth in addition to axial, and extrusion growth results. (3) On the base of acceralation effects by zinc and suppression effects by lead on whisker generation, an "oxide film defect model" has been proposed to explain the whisker generation and growth mechanism.
- 1983-12-15
著者
-
大谷 誠
三菱電機
-
川中 龍介
三菱電機(株)
-
長谷川 知治
三菱電機(株)
-
南郷 重行
三菱電機
-
南郷 重行
三菱電機(株)北伊丹製作所
-
大谷 誠
三菱電機(株)材料研究所
-
長谷川 知治
三菱電機
-
川中 龍介
三菱電機
-
大谷 誠
三菱電機(株)中央研究所
関連論文
- 錫真正ホイスカ成長における鉛の抑制作用とホイスカ成長機構
- すず真正ホイスカの発生と成長機構
- 錫ホイスカの観察 VII
- 錫ウィスカの観察 VIII : モルフォロジーII
- 錫ウイスカの観察III : ホイスカー
- 錫ウィスカーの観察II: SEM・SAM : ひげ結晶と金属
- 錫ウイスカの観察I : XMA : ひげ結晶と金属
- 錫ホイスカの観察V : ホイスカおよびモルフォロジー
- 錫ウィスカの観察(VI)
- 錫ホイスカの観察 VI
- オージェ電子分光法による不純物の定量分析 : Si中のB, P, 及びAs, 並びにSiO2中のP
- 静的コンタクトにおける接触抵抗と接触力の関係
- オージェ電子分光法によるSi3N4膜中へのAlの拡散
- 第 4 章マイクロ加工の信頼性評価(マイクロ加工)