GeとBを同時添加されたSi種結晶とCZ-Si育成結晶との界面における格子ミスフィットの定量化 : バルク結晶成長III

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概要

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• We studied lattice misfit between the Ge/B co-doped Si seed crystal and the CZ-Si grown crystal. We found the critical lattice misfit between the seed and the grown crystal to avoid the generation of misfit dislocations was 1×10-4Å.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 渡辺 正幸

  東芝セラミックス(株)シリコン事業部

• 鹿島 一日児

  東芝セラミックス(株)シリコン事業部

• 西堀 史高

  東芝セラミックス(株)シリコン事業部

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