Si(001)微斜面におけるドメイン反転現象の数値解析
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概要
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The microscopic mechanism of the currentinduced domain conversion phenomena on the Si(00l)vicinal surface is studied on the basis of the kinetic,equation derived by the path probability method(PPM)of noncquilibrium statistical method. The results of numerical calculation suggest that the domain conversion is caused by the anisotropy of binding energy of neighboring atoms along with the Schwoebel effect at steps under heating current.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
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