微斜面上でのMBE成長の経路確率法による解析(<特集>ステップの統計力学と結晶成長)
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概要
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The growth kinetics by molecular-beam epitaxy (MBE) is studied on the stepped surface by means of a kinetic equation describing the deposition and diffusion of atoms on the basis of the SOS (solid-on-solid) model. The kinetic equation is derived by using site-dependent point approximation of the path probability method. It is shown that the growth mode changes from the layer-by-layer mode on the terraces to the step propagation mode as the temperature is increased. The results agree qualitatively well with reflection high-energy electron diffraction (RHEED) measurements on GaAs (001) with miscut angle.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1992-09-25
著者
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