D216 微小重力場におけるTravelling Liquidus Zone 法によるInAs-GaAsの育成(オーガナイズドセッション14 : 固・液相変化を伴う熱・物質移動及び流動の基礎と応用)
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概要
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We develop a numerical calculation method of crystal growth of InAs-GaAs by the Travelling Liquidus Zone (TLZ) method. We investigate the possibility of growing a uniform In_<0.3>Ga_<0.7>As binary compound semiconductor under microgravity conditions, forcusing on the crystal growth rate and supercooling . We find that the crystal growth rate coincides with the diffusion limited case under microgravity conditions. Supercooling is remarkably reduced by reducing the zone width.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2001-11-03
著者
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