活性化処理されたSi_3N_4原料粉体の特性 : 爆発衝撃及び微粉砕について
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概要
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Si_3N_4原料粉体の爆発衝撃処理(100kbar, 300kbar)及び微粉砕処理により, 粉体の物理的あるいは化学的特性がいかに改善されるかを粉末X線回折法及び昇温脱離法により追求した. 昇温脱離法による粉体表面活性は300kbar爆発衝撃において最も高く, 以下微粉砕, 100kbar爆発衝撃の順であった. 微粉砕は格戸ひずみの増加よりもむしろ結晶子径の微細化を促進させることが判明した. 爆売衝撃は100kbar処理で格子ひずみの増大を促進し, 微細化をあまり進行させない. しかし300kbarの処理では結晶子径の微細1化と格子ひずみの増加が同時に進行した. 比表面積測定より, 爆売衝撃処理によるSi_3N_4の直接焼結の可能性が示唆された. 微粉砕によりSi_3N_4の各指数面の同折角度が低角側にシフトし, 爆発衝撃では高角側にシフトした. HFによる表面層の溶出実験より, 微粉砕による活性化は表曲近傍に起こり, 爆発衝撃による活性化は粉体内部深く浸透することが明らかになった.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1984-11-01
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