単結晶Siの破壊じん性(<小特集>セラミック材料)
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概要
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Fracture toughness (K_<IC>) values were measured on the major planesof single-Crystal silicon using the controlled surface flow (CSF) and indentation fracture (IF) methods at room temperature. The values of Kic. on the surface orientations {100}, {110}, {111} and {112} obtained by the CSF method were found to be 1.13, 1.12〜1.14, 1.18 and 1.11〜1.18MPa・m^<0.5>, respectively. It was found that these KiC Values increased slightly with increasing the Young's modulus perpedicular to the fracture surfaces. Though KlC Values obtainedby the IF method, 0n the other hand, were scattered significantly (0.82〜1.18MPa・m^<0.5>) , its Young's modulus depebdence was similarto that obtainedby CSF method.
- 社団法人日本材料学会の論文
- 1991-04-15
著者
-
林 國郎
京都工芸繊維大学工芸学部物質工学科
-
岡本 泰則
京都工芸繊維大学工芸学部物質工学科
-
西川 友三
京都工芸繊維大学 工芸学部 物質工学科
-
辻本 真司
住友特殊金属(株)
-
岡本 泰則
京都工芸繊維大学大学院 工芸科学研究科 物質工学部門
-
岡本 泰則
京都工繊大・工芸
-
西川 友三
京都工芸繊維大学 工芸学部
-
西川 友三
京都工芸繊維大学
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