SiC焼結体の熱起電力に及ぼすアルミニウム添加の効果
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概要
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The effects of aluminum doping on the thermoelectric power of sintered SiC were investigated. SiC added up to 0.6 wt% aluminum was fired in the temperature range of 1900°-2050℃. The thermoelectric power was measured at 100℃ in vacuum with a temperature difference of 10 K across the specimen. The thermoelectric power increased with increasing aluminum addition and the firing temperature. Non-aluminum SiC fired at 1900℃ had the lowest thermoelectric power at 2 μV/K. On the other hand, SiC added 0.6 wt% aluminum and fired at 2050℃ had the highest thermoelectric power at 60 μV/K.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1991-03-01
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