対向拡散法及びゾル-ゲル法により作製した半導体(CdS, CdSe, Ge)超微粒子ドープ膜の発光特性
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概要
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CdS or CdSe-doped polymer films (acetyl cellulose and polyvinyl alcohol) were prepared by a mutual counter diffusion method. CdS or Ge-doped alumina films were produced by a sol-gel process. Each CdS- or CdSe-doped film exhibited photoluminescence by excitation with an Ar^+ laser. In particular, the CdS-doped alumina film did not emit photoluminescence derived from a deep trap level, but only one derived from the absorption edge. Moreover, photoluminescence of the Ge-doped alumina film was first observed.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1993-01-01
著者
-
岡 泰夫
東北大学科学計測研究所
-
岡 泰夫
東北大 科学計測研
-
鈴木 恭一
東北大・科研
-
鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
-
小林 芳男
東北大学工学研究科化学工学専攻
-
小林 芳男
東北大学工学都基礎工業化学教室
-
掛川 進秀
東北大学工学都基礎工業化学教室
-
黒川 洋一
東北大学工学都基礎工業化学教室
-
鈴木 恭一
東北大学科学計測研究所
-
黒川 洋一
東北大工
-
黒川 洋一
東北大 大学院工学研究科
-
掛川 進秀
東北大工
-
黒川 洋一
東北大学工学部基礎系
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