SiCセラミック半導体の微構造不均一性の電気伝導に及ぼす影響
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概要
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Several simulations were performed in order to estimate the effect of the nonuniformity of the SiC ceramic semiconductor microstructure on the electrical conductivity. The boundary potential model was used to express the electrical characteristics of the grain boundaries and the calculations were performed using the three-dimensional equivalent circuit in the simulations. These simulations show that the nonuniformity of the acceptor concentration or of the trap concentration at the grain boundary greatly affects the electrical conductivity of the SiC ceramic semiconductor. This is explained by the percolation theory. The influence of these nonuniformities should be carefully considered in order to design or to produce related devices.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1997-05-01
著者
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