rf Sputtered SiO_2-Si界面の性質 : 半導体 (表面)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 牟田 弘樹

  日電中研

• 篠田 大三郎

  日電中研

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• A. S. Grove: Physics and Technology of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, Inc., New York, London, Sydney, 1967, 366頁, 15×23cm, 5,100円.
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