篠田 大三郎 | 日電中研
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概要
関連著者
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著作論文
- 12a-K-14 鉄族元素-Si contact
- 鉄族元素珪化物の伝導と磁性
- 鉄族元素珪化物の磁性(II) : 磁性(化合物)
- 鉄族元素珪化物の帯磁率 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 鉄族元素珪化物の磁性 : 磁性(化合物)
- HgTe, HgSeの電気的性質 II : 半導体(化合物)
- HgTeおよびHgSeの電気的性質(半導体(化合物))
- CrSi_2の熱電気的性質 : 半導体
- 8a-A-9 CrSi_2の熱電気的性質 III
- MnSi_の熱電気的性質 : 半導体
- 6p-L-7 CrSi_2の熱電気的性質II
- 15a-L-2 Pt-Si界面に成長したPtSiの方位性
- rf Sputtered SiO_2-Si界面の性質 : 半導体 (表面)
- A. S. Grove: Physics and Technology of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, Inc., New York, London, Sydney, 1967, 366頁, 15×23cm, 5,100円.
- 鉄族元素珪化物の磁性 (III) : 磁性 : 化合物