鉄族元素珪化物の帯磁率 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-10-10

著者

• 朝鍋 静生

  日電中研

• 篠田 大三郎

  日電中研

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• A. S. Grove: Physics and Technology of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, Inc., New York, London, Sydney, 1967, 366頁, 15×23cm, 5,100円.
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