低温気相生長酸化膜の性質 (I) : 半導体 (表面)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 佐藤 淳二

  富士通IC技術部

• 前田 和夫

  富士通IC技術部

• 河村 豊作

  富士通IC技術部

関連論文

• 低温気相生長酸化膜の性質 (II) : 半導体 (表面)
• 低温気相生長酸化膜の性質 (I) : 半導体 (表面)
• 8p-F-8 金をドープしたときのシリコンのライフタイム
• 4a-A-11 拡散によって誘発されたSi中の欠陥

スポンサーリンク