論文relation
低温気相生長酸化膜の性質 (II) : 半導体 (表面)
スポンサーリンク
概要
論文の詳細を見る
社団法人日本物理学会の論文
1969-03-30
著者
中野 元雄
富士通IC事業部
岡部 太郎
富士通ic技術部
中野 元雄
富士通ic技術部
佐藤 淳二
富士通IC技術部
前田 和夫
富士通IC技術部
関連論文
7a-U-4 p型反転層内の表面量子化による横方向電圧の発生
低温気相生長酸化膜の性質 (II) : 半導体 (表面)
Si-SiO_2-Metal系の熱処理効果 : 半導体(ダイオード)
低温気相生長酸化膜の性質 (I) : 半導体 (表面)
スポンサーリンク
論文relation | CiNii API
論文
論文著者
博士論文
研究課題
研究者
図書
論文
著者
お問い合わせ
プライバシー